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碳化硅工艺设备

碳化硅工艺设备

2019-02-23T20:02:51+00:00

技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎知乎专栏

碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用了高温的工艺，包括高 2022年12月1日碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度、高电导率、高热导率，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。SiC器件的制造是保证其优良应用的关键，本文将详细介绍SiC器件制造的离子注入一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区2020年10月21日以碳化硅mosfet工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有

碳化硅芯片怎么制造？知乎知乎专栏

步注入掩膜。首先清洗晶圆，淀积一层氧化硅薄膜，接着通过匀胶、曝光、显影等工艺步骤形成光刻胶图形，最后通过刻蚀工艺将图形转移到刻蚀掩膜上。第二步离子注入。将做好掩膜的晶圆放入离子注入机，注入 2022年1月4日碳化硅3个常识点：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快！2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪！投资不易，同志仍需努力！针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎

纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同投资于碳

19 小时之前这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端 2023年5月31日要求一、外形打磨碳化硅陶瓷加工工艺可以加工多种类型的碳化硅陶瓷制品，不同的陶瓷制品需要使用的加工程序不完全相同。但是不管外形打磨这一工序处于碳化硅陶瓷加工工艺有哪些要求知乎知乎专栏2022年2月22日碳化硅赋能更为智能的半导体制造/工艺电源模块半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。与基于硅的电源模块相比，使用碳化硅的电源具有更为出色的功率密度、可靠性和设计灵活性等优势，因此工程师们认为碳化硅在此前未曾运用过的应用中拥有一系列优势碳化硅赋能更为智能的半导体制造/工艺电源模块 Wolfspeed

一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区

2022年12月1日碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。图2 碳化硅高能离子注入设备示意图（来源：《 2021年6月8日目前碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光（CMP）、电化学抛光（ECMP）、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀（CACP/CARE）、摩擦化学抛光（TCP，又称无磨料抛光）和等第三代半导体材料之碳化硅（SiC）雪球2023年2月15日碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展电子工程专辑

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。由于新生单晶层按衬底晶相延伸生长，从而被 2022年5月13日碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。图片来源：Pexels （2）SiC芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立SiC工艺线所采用的关键设备基本需要进口。（3）SiC器件高端检测设备被国外所垄断。 4 一张图了解第三代半导体材料——碳化硅百家号19 小时之前这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端纬湃科技和安森美签署碳化硅（SiC）长期供应协议，共同投资于碳化硅

三代半丨SiC晶圆激光切割整套解决方案应用碳化硅工艺机械

2023年5月18日碳化硅材料正逐渐被广泛用作功率分立器件（如mosfet和肖特基二极管等）的首选衬底材料。碳化硅衬底具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的耐热性等优势；同时，拥有卓越性能的碳化硅衬底因其硬度高、脆性大等材料特性，给晶圆切割工艺带来了挑战。2023年5月31日要求一、外形打磨碳化硅陶瓷加工工艺可以加工多种类型的碳化硅陶瓷制品，不同的陶瓷制品需要使用的加工程序不完全相同。但是不管外形打磨这一工序处于碳化硅陶瓷加工实际作业过程中哪一个环节，在对陶瓷制品的外形进行打磨之时都应当注意车针在碳化硅陶瓷加工工艺有哪些要求知乎知乎专栏2023年5月25日铝基碳化硅（AlSiC）材料是由金属铝、陶瓷碳化硅和组成的金属基陶瓷复合材料。它具有高强度、高刚性、高耐热、高导热、低热膨胀系数等优良性能，因此在光学结构件和检测设备架构中有广泛应用。 AlSiC材料的特点之一是高导热性。其导热系数铝碳化硅AlSiC材料在光学结构件和检测设备中的应用知乎

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19 小时之前这些设备将用于生产碳化硅晶圆，以支持纬湃科技不断增长的业务需求。同时，作为智能电源和智能感知技术的领导者，安森美将继续大量投资于端 2022年12月1日碳化硅工艺制造过程中使用的典型高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描盘组成，如图2所示。图2 碳化硅高能离子注入设备示意图（来源：《一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区2023年2月15日碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展电子工程专辑

一张图了解第三代半导体材料——碳化硅百家号

2022年5月13日碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。图片来源：Pexels （2）SiC芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立SiC工艺线所采用的关键设备基本需要进口。（3）SiC器件高端检测设备被国外所垄断。 4 2021年6月8日目前碳化硅的抛光方法主要有：机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光（CMP）、电化学抛光（ECMP）、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀（CACP/CARE）、摩擦化学抛光（TCP，又称无磨料抛光）和等第三代半导体材料之碳化硅（SiC）雪球2022年2月22日碳化硅赋能更为智能的半导体制造/工艺电源模块半导体器件的制造流程包含数个截然不同的精密步骤。无论是前道工艺还是后道工艺，半导体制造设备的电源都非常重要。与基于硅的电源模块相比，使用碳化硅的电源具有更为出色的功率密度、可靠性和设计灵活性等优势，因此工程师们认为碳化硅在此前未曾运用过的应用中拥有一系列优势碳化硅赋能更为智能的半导体制造/工艺电源模块 Wolfspeed

三代半丨SiC晶圆激光切割整套解决方案应用碳化硅工艺机械

2023年5月18日碳化硅材料正逐渐被广泛用作功率分立器件（如mosfet和肖特基二极管等）的首选衬底材料。碳化硅衬底具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的耐热性等优势；同时，拥有卓越性能的碳化硅衬底因其硬度高、脆性大等材料特性，给晶圆切割工艺带来了挑战。2023年5月25日国家“碳达峰、碳中和”战略所引发的新能源革命，将推动光伏、风能等清洁能源以及储能设备等新能源相关基础设施的大量建设，而新能源基建设施设备的高压、高频、高功率应用场景对功率半导体器件发展提出了更高要求。硅材料属于基础性半导体材料，而碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁碳化硅功率器件的研发和产业化项目可行性研究报告光伏二极管2023年5月31日要求一、外形打磨碳化硅陶瓷加工工艺可以加工多种类型的碳化硅陶瓷制品，不同的陶瓷制品需要使用的加工程序不完全相同。但是不管外形打磨这一工序处于碳化硅陶瓷加工实际作业过程中哪一个环节，在对陶瓷制品的外形进行打磨之时都应当注意车针在碳化硅陶瓷加工工艺有哪些要求知乎知乎专栏